Toshiba
2SK3564
SC-67
N沟道
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产品技术参数
标准包装: | 50 |
类别: | 分立式导体产品 |
家庭: | FET - 单 |
系列: | - |
包装: | 管件 |
FET 类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能: | 标准 |
漏源极电压 (Vdss): | 900V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): | 3A (Ta) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): | 4.3 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 17nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 700pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 40W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
产品目录页面: | 1654 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
产品实拍图
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