IRF510 参数资料 深圳市汇集斯纳电子有限公司

IRF510    7350    VISHAY    17+    TO-220    进口原装正品 VISHANY主营
一般信息
数据列表     IRF510;
Packaging Information;
标准包装      1,000
包装      管件
类别     分立半导体产品
产品族     晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列     -
其它名称     *IRF510

规格
FET 类型     N 沟道
技术     MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）     100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）     5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）     10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）     4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）     8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）     180pF @ 25V
Vgs（最大值）     ±20V
FET 功能     -
功率耗散（最大值）     43W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）     540 毫欧 @ 3.4A，10V
工作温度     -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型     通孔
供应商器件封装     TO-220AB
封装/外壳     TO-220-3