IRF630N 3499 IR 17+ TO-220 进口原装正品 IR主营
一般信息
数据列表 IRF630N(S,L);
标准包装 50
包装
管件类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET?
其它名称 *IRF630NL
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 82W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 5.4A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-262
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
深圳市汇集斯纳电子有限公司
张先生
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