数据列表 AUIRFR1018E;
标准包装 75
零件状态 Digi-Key 停产
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET?
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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