IRL60B21 全新原装热卖

品牌：
Infineon
型号：
IRL60B21

发布询价信息

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产品信息

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?，StrongIRFET?

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 258nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15570pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 375W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

公司介绍

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