类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 253μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V
Vgs(最大值) +5V,-16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11300pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 137W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3