一般信息
数据列表 AO4264E;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 AlphaSGT?
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.8 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 30V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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