M27C256B-12F6
ST意法
DIP-28
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功能数量 1
M27C256B-12F6端子数量 28
M27C256B-12F6最大工作温度 85 Cel
M27C256B-12F6最小工作温度 -40 Cel
M27C256B-12F6最大供电/工作电压 5.5 V
M27C256B-12F6最小供电/工作电压 4.5 V
M27C256B-12F6额定供电电压 5 V
M27C256B-12F6最大存取时间 120 ns
M27C256B-12F6加工封装描述 0.280 INCH, 铅 FREE, 陶瓷, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28
M27C256B-12F6无铅 Yes
M27C256B-12F6欧盟RoHS规范 Yes
M27C256B-12F6状态 DISCONTINUED
M27C256B-12F6工艺 CMOS
M27C256B-12F6包装形状 矩形的
M27C256B-12F6包装尺寸 IN-线, WINDOW
M27C256B-12F6端子形式 THROUGH-孔
M27C256B-12F6端子间距 2.54 mm
M27C256B-12F6端子涂层 MATTE 锡
M27C256B-12F6端子位置 双
M27C256B-12F6包装材料 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
M27C256B-12F6温度等级 INDUSTRIAL
M27C256B-12F6内存宽度 8
M27C256B-12F6组织 32K × 8
M27C256B-12F6存储密度 262144 deg
M27C256B-12F6操作模式 ASYNCHRONOUS
M27C256B-12F6位数 32768 words
M27C256B-12F6位数 32K
M27C256B-12F6内存IC类型 UVPROM
M27C256B-12F6串行并行 并行
深圳市亚泰盈科电子
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