SUD06N10-225
VISHAY
最新年份
TO252
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标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 200 mOhm @ 3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 240pF @ 25V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 6.5 A
RDS -于 200@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7 ns
典型关闭延迟时间 8 ns
典型下降时间 9 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 200@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 1500
最大连续漏极电流 6.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
单位包 2000
最小起订量 2000
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 200 mOhm @ 3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.5W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 240pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SUD06N10-225L-E3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
身高 2.38mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 0.2 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 1.5 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 2.7 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS 240 pF V @ 25
宽度 6.22mm
工厂包装数量 2000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 6.5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 200 mOhms
功率耗散 1.5 W
商品名 TrenchFET
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
Continuous Drain Current Id :6.5A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :0.16ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
功耗 :20W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :2
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :6.5A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.00143
Tariff No. 85412900
associated D00840
573100D00010G
ADP3623ARDZ-RL
3209885-M
电话:15338868823
联系人:郑小姐 (女士)
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