FDG6304P
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中文描述:双P沟道,数字场效应管
技术规格:制造商:Fairchild Semiconductor;产品种类:MOSFET 小信号;RoHS:是;配置:Dual;晶体管极性:P-Channel;电阻汲极/源极 RDS(导通):1.1 Ohms;正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.9 S;汲极/源极击穿电压:- 25 V;闸/源击穿电压:- 8 V;漏极连续电流:0.41 A;功率耗散:0.3 W;最大工作温度:+ 150 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SC-70-6;封装:Reel;最小工作温度:- 55 C;Standard Pack Qty:3000;零件号别名:FDG6304P_NL
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