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QB-78K0RLH3-TB

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QB-78K0RLH3-TB
优势
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
10000
RENESAS/瑞萨
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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
78K0R LH3 UPD78F1508 TEST - Boxed Product (Development Kits)

QB-78K0RLH3-TB 技术参数

QB3725A60WSTC 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件状态:在售类型:散热片冷却封装:- 接合方法:SMD 基座形状:矩形宽度:0.245"（6.22mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.060"（1.52mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:6°C/W 材料:氮化铝陶瓷型材料镀层:- 标准包装:1 QB2525A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件状态:在售类型:散热片冷却封装:- 接合方法:SMD 基座形状:矩形长度:0.240"（6.10mm）宽度:0.250"（6.35mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.060"（1.52mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:4°C/W 材料:氮化铝陶瓷型材料镀层:- 标准包装:1 QB2010A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件状态:在售类型:散热片冷却封装:- 接合方法:SMD 基座形状:矩形长度:0.195"（4.95mm）宽度:0.095"（2.41mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.060"（1.52mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:10°C/W 材料:氮化铝陶瓷型材料镀层:- 标准包装:1 QB1111A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件状态:在售类型:散热片冷却封装:- 接合方法:SMD 基座形状:矩形长度:0.110"（2.79mm）宽度:0.110"（2.79mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.040"（1.02mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:7°C/W 材料:氮化铝陶瓷型材料镀层:- 标准包装:1 QB1005A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件状态:在售类型:散热片冷却封装:- 接合方法:SMD 基座形状:矩形长度:0.100"（2.54mm）宽度:0.050"（1.27mm）直径:- 离基底高度（鳍片高度）:0.040"（1.02mm）不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:13°C/W 材料:氮化铝陶瓷型材料镀层:- 标准包装:1 QBASS40YG0 QBASS40YG1 QB-BASE120-Q QB-BASE175-Q QBC11ZH-NT QB-COMMON-PW-EA QB-CONN QBDE067A0B41-HZ QBDE067A0B641-HZ QBDE067A0B641-PHZ QBDS200AG QBDS200R QBDS400AG QBDS400R QBDS560AG QBDS560R QBDW025A0B41-HZ QBDW025A0B41Z