R1LV0416DSB-5SC

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
SRAM 4MBIT 3V 55NS 44TSOP

R1LV0416DSB-5SC 技术参数

R1LV0416DBG-7LI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 70ns 48-Pin TFBGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4MB ADV. SRAM, I-TEMP, CSP, T/R, PB-FREE - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RENR1LV0416DBG-7LI#S0 4MBIT LP SRAM (256 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 48FBGA R1LV0416DBG-7LI#B0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 70ns 48-Pin TFBGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4MB ADV.SRAM, I-TEMP, CSP, TRAY, PB-FREE - Trays 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 48FBGA 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 70ns 48-Pin TFBGA R1LV0416DBG-5SI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin TFBGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 48FBGA R1LV0416DBG-5SI#B0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 48-CSP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 R1LV0414DSB-7LI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4M SRAM (256-KWORD ? 16-BIT) - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 44TSOP R1LV0816ABG-5SI#S0 R1LV0816ABG-7SI#B0 R1LV0816ABG-7SI#S0 R1LV0816ASA-5SI#B0 R1LV0816ASA-5SI#S0 R1LV0816ASA-7SI#B0 R1LV0816ASA-7SI#S0 R1LV0816ASB-5SI#B0 R1LV0816ASB-5SI#S0 R1LV0816ASB-7SI#B0 R1LV0816ASB-7SI#S0 R1LV0816ASD-5SI#B0 R1LV1616HBG-5SI#B0 R1LV1616RBG-5SI#B0 R1LV1616RBG-5SI#S0 R1LV1616RBG-7SI#B0 R1LV1616RBG-7SI#S0 R1LV1616RBG-7SR#B0