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R1LV1616HSA-4SI#B1

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  • 深圳市杰世特电子有限公司
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R1LV1616HSA-4SI#B1 技术参数
  • R1LV1616HBG-5SI#B0 功能描述:IC SRAM 16MBIT 50NS 48CSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 R1LV0816ASD-5SI#B0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 1M/512K x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM ASYNC SGL - Trays 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 1M/512K x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray R1LV0816ASB-7SI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:8MB, 512KX16, 70NS, TSOP, I TEMP, 3V - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 8MBIT 70NS 48TSOP R1LV0816ASB-7SI#B0 功能描述:IC SRAM 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 R1LV0816ASB-5SI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:8MB, 512KX16, 55NS, TSOP, I TEMP, 3V - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:R1LV0816A Series 8 Mbit (512 K x 16) 3 V 55 ns Advanced SRAM - TSOP-44 R1LV1616RSA-7SI#S0 R1LV1616RSD-5SI#B0 R1LV1616RSD-5SI#S0 R1LV1616RSD-7SI#B0 R1LV1616RSD-7SI#S0 R1LV3216RSA-5SI#B0 R1LV3216RSA-5SI#B1 R1LV3216RSA-5SI#S0 R1LV3216RSA-5SI#S1 R1LV3216RSA-5SR#B0 R1LV3216RSA-5SR#S0 R1LV3216RSA-7SI#B0 R1LV3216RSA-7SI#S0 R1LV3216RSA-7SR#B0 R1LV3216RSA-7SR#S0 R1LV3216RSD-5SI#B0 R1LV3216RSD-5SI#S0 R1LV3216RSD-7SI#B0
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