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RC5025F40R2CS
参数信息:

制造商:Samsung Electro-Mechanics

功能描述:Res Thick Film 2010 40.2 Ohm 1% 2/3W ±100ppm/°C Molded SMD T/R

制造商:Samsung Electro-Mechanics

功能描述:RES THKFLM 2010 40.2 OHM ?1% 2/3W SMD - Tape and Reel

RC5025F40R2CS技术参数

RC5025F101CS 功能描述:RES SMD 100 OHM 1% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):100 容差:±1% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC-5 功能描述:915μH Unshielded Wirewound Inductor 625mA 1 Ohm Radial 制造商:triad magnetics 系列:RC 包装:散装 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:915μH 容差:±10% 额定电流:625mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1 欧姆 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.600" 直径(15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.930"(23.62mm) 标准包装:126 RC48F4400P0VB0EJ 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) RC48F4400P0VB0EA 功能描述:IC FLASH 512MBIT 65NM 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) RC48F4400P0VB0E4 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ RC5025F4223CS RC5025F4224CS RC5025F42R2CS RC5025F430CS RC5025F431CS RC5025F4320CS RC5025F4321CS RC5025F4322CS RC5025F4323CS RC5025F4324CS RC5025F432CS RC5025F433CS RC5025F434CS RC5025F435CS RC5025F43R2CS RC5025F4420CS RC5025F4421CS RC5025F4422CS

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