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RC55-D-24K3-B-B

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  • 功能描述
  • 金属膜电阻器 - 透孔 1/4W 24.3K 0.1%
  • RoHS
  • 制造商
  • IRC
  • 电阻
  • 63.4 kOhms
  • 容差
  • 1 %
  • 功率额定值
  • 100 mW
  • 电压额定值
  • 200 V
  • 温度系数
  • 100 PPM / C
  • 端接类型
  • Axial
  • 工作温度范围
  • 尺寸
  • 2.3 mm Dia. x 6.4 mm L
  • 封装
  • Bulk
RC55-D-24K3-B-B 技术参数
  • RC5025J470CS 功能描述:RES SMD 47 OHM 5% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):47 容差:±5% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC5025J270CS 功能描述:RES SMD 27 OHM 5% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):27 容差:±5% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC5025J222CS 功能描述:RES SMD 2.2K OHM 5% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):2.2k 容差:±5% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC5025J221CS 功能描述:RES SMD 220 OHM 5% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):220 容差:±5% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC5025J182CS 功能描述:RES SMD 1.8K OHM 5% 2/3W 2010 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RC 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):1.8k 容差:±5% 功率(W):0.667W,2/3W 成分:厚膜 特性:防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RC55Y-162RBI RC55Y-18K2BI RC55Y-1K0BI RC55Y-1K21BI RC55Y-1K5BI RC55Y-1K82BI RC55Y-1M0BI RC55Y-200KBI RC55Y-200RBI RC55Y-20KBI RC55Y-215RBI RC55Y-221KBI RC55Y-22K1BI RC55Y-237RBI RC55Y-249KBI RC55Y-249RBI RC55Y-27K4BI RC55Y-28KBI
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