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RM24C32DS-LSNI-B

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • RM24C32DS-LSNI-B
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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

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    资质:营业执照

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RM24C32DS-LSNI-B 技术参数
  • RM24C32C-LTAI-B 功能描述:8-TSSOP, 1.65V, TUBE, I2C 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:新产品 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:32kb(32B 页面尺寸) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:100 RM24C32C-LSNI-B 功能描述:8-SOIC-N, 1.65V, TUBE, I2C 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:新产品 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:32kb(32B 页面尺寸) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:98 RM24C32C-BTAC-B 功能描述:IC SERIAL CBRAM 32KB TSSOP 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:32kb(32B 页面尺寸) 速度:100kHz,400kHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:100 RM24C32C-BSNC-T 功能描述:IC SERIAL CBRAM 32KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:32kb(32B 页面尺寸) 速度:100kHz,400kHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 RM24C32C-BSNC-B 功能描述:IC SERIAL CBRAM 32KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:32kb(32B 页面尺寸) 速度:100kHz,400kHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:98 RM24C64C-BSNC-T RM24C64C-BTAC-B RM24C64C-BTAC-T RM24C64C-LCSI-T RM24C64C-LMAI-T RM24C64C-LSNI-B RM24C64C-LSNI-T RM24C64C-LTAI-B RM24C64C-LTAI-T RM24C64DS-LMAI-T RM24C64DS-LSNI-B RM24C64DS-LSNI-T RM24C64DS-LTAI-B RM24C64DS-LTAI-T RM24EP128A-BSNC-T RM24EP32B-BSNC-T RM24EP32C-BSNC-T RM24EP64B-BSNC-T
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