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RN80532KC0804M(SL79V)

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • INTEL

  • 标准封装

  • 07+/08+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

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RN80532KC0804M(SL79V) 技术参数
  • RN80532KC041512SL6EM 功能描述:IC MPU XEON 1.5V 2.0GHZ 603-INT3 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器 系列:- 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA(25x25) 包装:托盘 RN73C2A9K76BTDF 功能描述:RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):9.76k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K53BTDF 功能描述:RES SMD 9.53KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):9.53k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K31BTDF 功能描述:RES SMD 9.31KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):9.31k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K09BTDF 功能描述:RES SMD 9.09KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):9.09k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 RNA4A8E122JT RNA4A8E130JT RNA4A8E151JT RNA4A8E153JT RNA4A8E154JT RNA4A8E163JT RNA4A8E181JT RNA4A8E183JT RNA4A8E202JT RNA4A8E203JT RNA4A8E220JT RNA4A8E221JT RNA4A8E222JT RNA4A8E223JT RNA4A8E224JT RNA4A8E242JT RNA4A8E270JT RNA4A8E271JT
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