R9G03612XX
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制造商:Powerex Inc
描述:RECTIFIER 3600V 1200A
RoHS:无铅 / 符合
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产品分类 半导体模块 >> 二极管,整流器 描述 RECTIFIER 3600V 1200A
标准包装 2 系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 1.45V @ 1500A
电流 - 在 Vr 时反向漏电 150mA @ 3600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 1200A
电压 - (Vr)(最大) 3600V(3.6kV)
反向恢复时间(trr) 25µs
二极管类型 标准
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
二极管配置 单路
安装类型 底座安装
封装/外壳 DO-200AA,A-PUK
供应商设备封装 DO-200AA,R62
包装 散装
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类型 低通
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通道数 8
中心 / 截止频率 450MHz(截止值)
衰减值 25dB @ 800MHz ~ 5GHz
电阻 - 通道 (Ohms) -
电流 -
L = 17nH,C = 16pF
ESD 保护
滤波器阶数 3rd
应用 移动设备的数据线路
封装/外壳 16-UFDFN 裸露焊盘
尺寸/尺寸 0.138" L x 0.047" W(3.50mm x 1.20mm)
高度 0.024"(0.60mm)
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制造商 Powerex Inc 描述 RECTIFIER 1400V 3600A
标准包装 2 系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 1.15V @ 3000A
电流 - 在 Vr 时反向漏电 200mA @ 1400V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 3600A
电压 - (Vr)(最大) 1400V(1.4kV)
反向恢复时间(trr) 22µs
二极管类型 标准
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
二极管配置 单路
安装类型 底座安装
封装/外壳 DO-200AD
供应商设备封装 1-1G1A
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标准包装 2 系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 1.05V @ 3000A
电流 - 在 Vr 时反向漏电 200mA @ 1200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 4800A
电压 - (Vr)(最大) 1200V(1.2kV)
反向恢复时间(trr) 16µs
二极管类型 标准
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
二极管配置 单路
安装类型 底座安装
封装/外壳 DO-200AD
供应商设备封装 1-1G1A
包装 散装
型号 ATA6285N-PNPW 数量 可订货
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功率 - 输出 6dBm
电流 - 传输 8.5mA
数据接口 PCB,表面贴装
天线连接器 PCB,表面贴装
存储容量 4KB ROM,1KB RAM,1KB EEPROM
特点 -
电源电压 2 V ~ 3.6 V
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存储容量 4KB ROM,1KB RAM,1KB EEPROM
特点 -
电源电压 2 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
封装/外壳 32-VFQFN 裸露焊盘
包装 *
其它名称 ATA6285N-PNPWCT
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制造商 Diodes Inc 描述 MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
标准包装 1 系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 230mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 14.1pF @ 15V
功率 - 最大 350mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
供应商设备封装 3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包装 标准包装 产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN26D0UFB4-7DIDKR