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参数资料
| 型号： | RB530S-30TE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB530S-30TE61DKR |
        Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky barrier Diode RB530S-30 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) General rectification ?Features 1)Ultra small mold type. (EMD2) 2)Low IR 3)High reliability ?Construction ?Structure Silicon epitaxial planer ?Taping specifications (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Ta=25 ?C) Symbol Unit VR V Io mA IFSM mA Tj ?C Tstg ?C ?Electical characteristics (Ta=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF - - 0.45 V IF=10mA IR - - 0.5 μA VR=10V Reverse voltage (DC) Junction temperature Forward current surge peak (60Hz/1cyc) 500 Average rectified forward current 100 Parameter Reverse current ?Land size figure (Unit : mm) Parameter Limits Conditions 125 Storage temperature -40 to +125 30 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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