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S285-M09-F16-E

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  • 制造商
  • UNICORP
  • 功能描述
S285-M09-F16-E 技术参数
  • S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标准包装:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标准包装:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标准包装:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标准包装:338 S27KL0641DABHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DRAM 存储容量:64M(8M x 8) 速度:100MHz 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标准包装:338 S29AL008J55BFIR20 S29AL008J55BFIR22 S29AL008J55BFIR23 S29AL008J55TFAR20 S29AL008J55TFAR23 S29AL008J55TFIR10 S29AL008J55TFIR20 S29AL008J55TFIR23 S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR20 S29AL008J70BAI010 S29AL008J70BAI012 S29AL008J70BAI020 S29AL008J70BAN020 S29AL008J70BFA010 S29AL008J70BFA020 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013
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