S29GL128S90TFI020功能描述:闪存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存
RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelS29GL128S90TFI010功能描述:闪存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存
RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelS29GL128S90FHI020功能描述:闪存 128MB, 3V, 90NS Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelS29GL128S90FHI010功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:128Mb （8M x 16） 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11） 标准包装:180S29GL128S90DHI020功能描述:闪存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelS29GL256N90FFAR22S29GL256N90TFAR10S29GL256N90TFAR13S29GL256P10FAI022S29GL256P10FFI010S29GL256P10FFI012S29GL256P10FFI020S29GL256P10FFI022S29GL256P10FFI023S29GL256P10FFIS10S29GL256P10FFIS12S29GL256P10FFIS13S29GL256P10FFIS20S29GL256P10FFIS40S29GL256P10TAI010S29GL256P10TFI010S29GL256P10TFI013S29GL256P10TFI020
