S29GL256P10TFIV1

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S29GL256P10TFIV1
深圳市时兴宇电子有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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联系人：朱先生/李小姐
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深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：苗凤军
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S29GL256P10TFIV1 技术参数

S29GL256P10TFI023 功能描述:闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256P10TFI020 功能描述:闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256P10TFI013 功能描述:闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256P10TFI010 功能描述:闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256P10TAI010 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8/16MX16 100NS 56TSOP - Trays S29GL256P11FFIS12 S29GL256P11FFIS20 S29GL256P11FFIS30 S29GL256P11FFIS40 S29GL256P11FFIS42 S29GL256P11FFIS50 S29GL256P11FFIS52 S29GL256P11FFIS53 S29GL256P11FFIV10 S29GL256P11FFIV12 S29GL256P11FFIV13 S29GL256P11FFIV20 S29GL256P11FFIV22 S29GL256P11FFIV23 S29GL256P11TAI010 S29GL256P11TAI020 S29GL256P11TAIV10 S29GL256P11TAIV20