S29GL512P10FFIR12A

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S29GL512P10FFIR12A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市华创欧科技有限公司
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联系人：朱先生
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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S29GL512P10FFIR12A 技术参数

S29GL512P10FFIR12 功能描述:闪存 512M, 3V, 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL512P10FFIR10 功能描述:闪存 512Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL512P10FFCR20 功能描述:闪存 512Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL512P10FFCR10 功能描述:闪存 512Mb 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL512P10FAIR20 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEM PARALLEL 3V/3.3V 512M-BIT 64M X 8/32M X 16 - Trays S29GL512P10FFSS83 S29GL512P10TACR10 S29GL512P10TAI010 S29GL512P10TAIR10 S29GL512P10TAIR20 S29GL512P10TFCR10 S29GL512P10TFCR105 S29GL512P10TFCR10D S29GL512P10TFCR13 S29GL512P10TFCR20 S29GL512P10TFCR205 S29GL512P10TFCR20D S29GL512P10TFCR23 S29GL512P10TFI020 S29GL512P10TFIR10 S29GL512P10TFIR105 S29GL512P10TFIR10D S29GL512P10TFIR13