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S34ML02G104BHB010

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

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S34ML02G104BHB010 技术参数
  • S34ML02G104BHA013 功能描述:IC FLASH 2GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND 存储容量:2Gb (128M x 16) 写周期时间 - 字,页:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA(11x9) 标准包装:1 S34ML02G100TFI900 功能描述:IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND 存储容量:2Gb (256M x 8) 写周期时间 - 字,页:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML02G100TFI003 功能描述:闪存 2Gb 3V 25ns NAND 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML02G100TFI000 功能描述:闪存 2Gb 3V 25ns NAND 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML02G100TFB000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND 存储容量:2Gb (256M x 8) 写周期时间 - 字,页:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML02G200BHB003 S34ML02G200BHI000 S34ML02G200BHI003 S34ML02G200BHI500 S34ML02G200BHI503 S34ML02G200BHV000 S34ML02G200BHV003 S34ML02G200GHI000 S34ML02G200GHI003 S34ML02G200TFA000 S34ML02G200TFA003 S34ML02G200TFB000 S34ML02G200TFB003 S34ML02G200TFI000 S34ML02G200TFI003 S34ML02G200TFI500 S34ML02G200TFI503 S34ML02G200TFV000
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