S34ML04G200TFI900

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

S34ML04G200TFI900
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Cypress Semiconductor Cor
标准封装
16+
-
假一罚十

S34ML04G200TFI900
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
714
Cypress Semiconductor Cor
48-TFSOP (0.724, 18.
21+
-
全新原装

S34ML04G200TFI900
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Cypress Semiconductor Cor
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

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1

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功能描述
IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP
制造商
cypress semiconductor corp
系列
ML-2
包装
托盘
零件状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NAND
存储容量
4Gb （512M x 8）
写周期时间 - 字，页
25ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装
48-TSOP I
标准包装
96

S34ML04G200TFI900 技术参数

S34ML04G200TFI003 功能描述:闪存 4G, 3V, 25ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML04G200TFI000 功能描述:闪存 4G, 3V, 25ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML04G200TFB000 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:4Gb （512M x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML04G200TFA003 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:4Gb （512M x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:1 S34ML04G200TFA000 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:4Gb （512M x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML08G101BHI000 S34ML08G101BHI003 S34ML08G101TFA000 S34ML08G101TFA003 S34ML08G101TFB000 S34ML08G101TFB003 S34ML08G101TFI000 S34ML08G101TFI003 S34ML08G101TFI200 S34ML08G101TFI203 S34ML08G201BHA000 S34ML08G201BHA003 S34ML08G201BHB000 S34ML08G201BHB003 S34ML08G201BHI000 S34ML08G201BHI003 S34ML08G201BHV000 S34ML08G201BHV003