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S34MS02G200BHI000-

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S34MS02G200BHI000- 技术参数

S34MS02G104BHI010 功能描述:闪存 2G, 1.8V, 45ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34MS02G100TFI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:2Gb （256M x 8）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34MS02G100BHI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:2Gb （256M x 8）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9）标准包装:210 S34MS01G204BHI010 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:1Gb （64M x 16）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9）标准包装:210 S34MS01G200TFV000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:1Gb （128M x 8）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34MS02G200TFV003 S34MS02G204BHI010 S34MS02G204BHI013 S34MS02G204TFI010 S34MS04G100BHB000 S34MS04G100BHB003 S34MS04G100BHI000 S34MS04G100BHI003 S34MS04G100TFB000 S34MS04G100TFB003 S34MS04G100TFI000 S34MS04G100TFI003 S34MS04G100TFI900 S34MS04G200BHA000 S34MS04G200BHA003 S34MS04G200BHB000 S34MS04G200BHB003 S34MS04G200BHI000