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S3PDB101N08

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S3PDB101N08 技术参数
  • S3MBTR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB(DO-214AA) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 S3KBTR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB(DO-214AA) 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 S3GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 S3F8S7BXZZ-TW8B 功能描述:IC MCU 8BIT 64KB FLASH 80TQFP 制造商:zilog 系列:S3F8 包装:托盘 零件状态:在售 核心处理器:SAM88RC 核心尺寸:8-位 速度:12MHz 连接性:SIO,UART/USART 外设:LCD,LVR,PWM,WDT I/O 数:70 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:80-TQFP 供应商器件封装:80-TQFP 标准包装:1,190 S3F8S7BXZZ-QW8B 功能描述:IC MCU 8BIT 64KB FLASH 80QFP 制造商:zilog 系列:S3F8 包装:托盘 零件状态:在售 核心处理器:SAM88RC 核心尺寸:8-位 速度:12MHz 连接性:SIO,UART/USART 外设:LCD,LVR,PWM,WDT I/O 数:70 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:80-BQFP 供应商器件封装:80-QFP 标准包装:660 S4/0-12R-5 S4/0-12R-C S4/0-38R-5 S4/0-38R-C S4/0-56R-5 S4/0-56R-C S4/0-76R-5 S4/0-76R-C S-4/10 S400 S-400 S4003LS2 S4004DS1RP S4004DS1TP S4004DS2RP S4004DS2TP S4004VS1 S4004VS1TP
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