S8658WPL13SMM

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S8658WPL13SMM 技术参数

S85YR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1600V（1.6kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 S85VR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 S85QR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:5 S85Q 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:5 S85M 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:5 S8658WPR24NF S8658WPR36SMM S8658WPR72RTN S8658WPR-91RTN S86M S86R11A1B1D1120 S-87 S-872526EUP-AZAT2G S-872526EUP-AZAT2U S-872530EUP-AZCT2G S-872530EUP-AZCT2U S-872548EUP-AZBT2G S-872548EUP-AZBT2U S-872622BUP-OLAT2G S-873021AUP-ADET2G S-873021AUP-ADET2U S-873021BUP-AEET2G S-873021CUP-AFET2G