SCT35A05L04

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SCT35A05L04 技术参数

SCT30N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:105nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 400V 功率 - 最大值:270W 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:HiP247? 标准包装:30 SCT20N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 400V 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:HiP247? 标准包装:30 SCT10N120 功能描述:MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:* 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:* 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:HiP247? 标准包装:30 SCT1/0-1/0 功能描述:CONN T-SPLICE TAP 1/0 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:Pan-Lug? 包装:散装零件状态:在售端子类型:T 接头，凸片进线数:3 端接:压接线规:1/0 AWG 绝缘:非绝缘特性:- 颜色:- 标准包装:1 SCSS6-L 功能描述:CONN BUTT SPLICE 6 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:6 AWG 绝缘:非绝缘特性:- 颜色:蓝色标准包装:1 SCT48 SCT48/R SCT500-4/0 SCT500-500 SCT50N120 SCT601NONROHS SCT62 SCT63 SCT64 SCT65 SCT66 SCT67 SCT68 SC-T8J SC-T8J-P SCTH2010-100 SCTH2010-150 SCTH2010-1R0