SCY991351DDR2G功能描述:两极晶体管 - BJT VARIBLE OFF TIME CTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2SCY991351CDR2G功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 VARIBLE OFF TIME CTR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:ReelSCY991351BDR2G功能描述:两极晶体管 - BJT VARIBLE OFF TIME CTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2SCY991351ADR2G功能描述:肖特基二极管与整流器 VARIBLE OFF TIME CTR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:ReelSCY99102BDR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:COST EFFECT PWR FACT CONT - Tape and ReelSCY99205AMX120TCGSCYA5230DR2GSCZH-002T-P0.5SD 199 E6327SD-00/10SD001EVKSD001G00SD001SQ-EVKSD002-151-001SD002EVKSD002G00SD002SQ-EVKSD003-151-001SD004-11-41-211SD005EVKSD006EVKSD007EVKSD008-11-41-211
