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SD150-02NB

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SD150-02NB 技术参数
  • SD14-8R8-R 功能描述:8.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.14A 191.3 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:8.8μH 容差:±20% 额定电流:1.14A 电流 - 饱和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):191.3 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.057"(1.45mm) 标准包装:1 SD1477 功能描述:TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:6dB 功率 - 最大值:270W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:M111 供应商器件封装:M111 标准包装:25 SD14-6R9-R 功能描述:6.9μH Shielded Wirewound Inductor 1.35A 136.3 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.9μH 容差:±20% 额定电流:1.35A 电流 - 饱和值:1.41A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):136.3 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.057"(1.45mm) 标准包装:1 SD14-4R5-R 功能描述:4.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.64A 93.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.5μH 容差:±20% 额定电流:1.64A 电流 - 饱和值:1.74A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):93.5 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安装(最大值):0.057"(1.45mm) 标准包装:1 SD1446 功能描述:TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:183W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:M113 供应商器件封装:M113 标准包装:25 SD152 SD1526-01 SD1536-08 SD153N08S10PV SD153R08S10PV SD-15A-05 SD-15A-12 SD-15A-24 SD-15A-5 SD-15B-05 SD-15B-12 SD-15B-24 SD-15B-5 SD15C.TCT SD15C-01FTG SD-15C-05 SD-15C-12 SD-15C-24
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