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SDIO101AIHRZ
参数信息:

制造商:NXP Semiconductors

功能描述:SDIO101AIHR/HXQFN60(U)/REEL7DP - Tape and Reel

制造商:NXP Semiconductors

功能描述:IC FLASH MEMORY CTRLR 60HXQFN

SDIO101AIHRZ技术参数

SDIO101AIHRE 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SDIO101AIHR/HXQFN60(U)/TRAYBDP - Trays 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:IC FLASH MEMORY CTRLR 60HXQFN SDINB1-512 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 56-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) SDINB1-2048 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 56-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) SDINB1-1024 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 56-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) SDIN2C2-2G 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) SE529K SE5532AD8 SE5532AD8G SE5532AD8R2 SE5532AD8R2G SE5532N SE5532NG SE5534AN SE5534ANG SE5534N SE5534NG SE555D SE555DG4 SE555DR SE555DRG4 SE555DT SE555N SE555P

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