SDUS5EB-002G

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说明
操作

SDUS5EB-002G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
SanDisk
标准封装
16+
-
原装正品，质量保障假一罚十

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1

您是不是要找： SDV180 SDV180-1 SDV2415 SDV2415R SDV280 SDV280-1 SDV-DH1 DC12 SDV-DH2 DC24 SDV-DH3 DC48

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功能描述
USSD 5000 2GB SLC LP
RoHS
是
类别
存储卡，模块 >> 存储器 - 模块
系列
-
标准包装
100
系列
-
存储器类型
SDRAM
存储容量
1GB
速度
133MHz
特点
-
封装/外壳
168-DIMM

SDUS5EB-002G 技术参数

SDUS5EB-001G 功能描述:MODULE FLASH 1GB 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期存储器类型:FLASH 存储容量:1GB 速度:- 封装/外壳:模块标准包装:90 SDUS5AB-002G 功能描述:MODULE FLASH 2GB 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期存储器类型:FLASH 存储容量:2GB 速度:- 封装/外壳:模块标准包装:90 SDUS5AB-001G 功能描述:MODULE FLASH 1GB 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期存储器类型:FLASH 存储容量:1GB 速度:- 封装/外壳:模块标准包装:90 SDURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 SDURF840 功能描述:DIODE GEN PURP 400V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 SDV-DH4 DC100/110 SDV-DH6 AC100/110 SDV-DH7 AC200/220 SDV-DM1 DC12 SDV-DM2 DC24 SDV-DM3 DC48 SDV-DM4 DC100/110 SDV-DM5 SDV-DM6 AC100/110 SDV-DM7 AC200/220 SDV-FH1 DC12 SDV-FH2 DC24 SDV-FH2T DC24V SDV-FH3 DC48 SDV-FH4 DC100/110 SDV-FH5 DC125V SDV-FH5T DC125V SDV-FH6 AC100/110