SI1970DH-T1-GE3

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

SI1970DH-T1-GE3
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
VISHAY/威世
SC70-6
23+
-
原装正品欢迎咨询

SI1970DH-T1-GE3
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
9250
VISHAY
SC70-6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

SI1970DH-T1-GE3
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
VISHAY
SOT-363
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

SI1970DH-T1-GE3
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Vishay Siliconix
SC-70-6
17+
-
全新原装现货

SI1970DH-T1-GE3
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH DUAL 30V
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

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功能描述
MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
TrenchFET®
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

SI1970DH-T1-GE3 技术参数

SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 特色产品:XRP252 Switches 标准包装:1 系列:- 类型:高端开关输出数:2 Rds（开）:140 毫欧内部开关:是电流限制:1.15A 输入电压:1.75 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:10-TDFN（3x3）包装:Digi-Reel® 其它名称:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 标准包装:80 系列:- 类型:USB 开关输出数:2 Rds（开）:135 毫欧内部开关:是电流限制:1.5A 输入电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘供应商设备封装:8-MSOP-PowerPad 包装:管件配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI2115-A10-GM SI2115-A10-GMR SI2124-A20-GM SI2124-A20-GMR SI2124-A-EVB SI2127-A30-GM SI2127-A30-GMR SI2128-A20-GM SI2128-A20-GMR SI2136-B30-GM SI2136-B30-GMR SI2137-A30-GM SI2137-A30-GMR SI2138-A20-GM SI2138-A20-GMR SI2141-A10-GM SI2141-A10-GMR SI2141-B10-GM