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SI88321BD-IS

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SI88321BD-IS 技术参数

SI88244ED-IS 功能描述:General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/μs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:有效技术:容性耦合类型:通用隔离式电源:无通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:0/4 通道类型:单向电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:12.6ns，17.5ns（标准）脉宽失真（最大）:4.8ns(??) 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:46 SI88243ED-IS 功能描述:General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/μs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:有效技术:容性耦合类型:通用隔离式电源:无通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/3 通道类型:单向电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:12.6ns，17.5ns（标准）脉宽失真（最大）:4.8ns(??) 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:46 SI88242ED-IS 功能描述:General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/μs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:有效技术:容性耦合类型:通用隔离式电源:无通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:2/2 通道类型:单向电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:12.6ns，17.5ns（标准）脉宽失真（最大）:4.8ns(??) 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:46 SI88242BD-IS 功能描述:DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:在售技术:容性耦合类型:通用隔离式电源:无通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:2/2 通道类型:单向电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:12.6ns，17.5ns（标准）脉宽失真（最大）:4.8ns(??) 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:46 SI88241ED-IS 功能描述:General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/μs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:有效技术:容性耦合类型:通用隔离式电源:无通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:3/1 通道类型:单向电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:12.6ns，17.5ns（标准）脉宽失真（最大）:4.8ns(??) 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:20-SOIC 标准包装:46 SI88341ED-IS SI88341ED-ISR SI88342ED-IS SI88342ED-ISR SI88343ED-IS SI88343ED-ISR SI88344ED-IS SI88344ED-ISR SI88420BD-IS SI88420BD-ISR SI88420ED-IS SI88420ED-ISR SI88421BD-IS SI88421BD-ISR SI88421ED-IS SI88421ED-ISR SI88422BD-IS SI88422BD-ISR