SI9956BDY-T1

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深圳市晶美隆科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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北京力通科信电子有限公司
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SI9956BDY-T1 技术参数

SI9913DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9912DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9912DY-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9910DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9910DY-E3 功能描述:功率驱动器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9986DY-E3 SI9986DY-T1-E3 SI9987CY-E3 SI9987CY-T1-E3 SI9987DY-E3 SI9987DY-T1-E3 SI9988DQ-T1-E3 SIA400EDJ-T1-GE3 SIA406DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 SIA415DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3