SIC9030CTV

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SIC9030CTV 技术参数

SIC780CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 5V V-PWM RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC780ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 3.3V V-PWM RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC779CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC 40A 3-16V Built-In PWM Cont RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS Integrated Power Stage RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 40A 3-20Vin Thermal monitor flag RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SICH38-M SICH50-C SICH50-M SICH75-C SICH75-M SI-CU1425001WW SI-CU5523001WW SI-CU55230N1WW SI-CU8725001WW SI-CU87250N1WW SICW06A10-C30 SICW06A10-M30 SID1132K SID1132K-TL SID1152K SID1152K-TL SID1182K SID1182K-TL