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SIC931BED-Y1-GE3

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  • SIC931BED-Y1-GE3
    SIC931BED-Y1-GE3

    SIC931BED-Y1-GE3

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 23

  • Vishay Siliconix

  • 60-PowerBFQFN

  • 21+

  • -
  • 全新原装

  • SIC931BED-Y1-GE3
    SIC931BED-Y1-GE3

    SIC931BED-Y1-GE3

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王俊杰

    电话:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • Vishay Semiconductor Diod

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

  • SIC931BED-Y1-GE3
    SIC931BED-Y1-GE3

    SIC931BED-Y1-GE3

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:张国龙

    电话:177226252410755-21008751

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • Vishay Semiconductor Diod

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

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SIC931BED-Y1-GE3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
SIC931BED-Y1-GE3 技术参数
  • SIC780CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 5V V-PWM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC780ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 50A 3-22Vin 3.3V V-PWM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC779CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC 40A 3-16V Built-In PWM Cont RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778CD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS Integrated Power Stage RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIC778ACD-T1-GE3 功能描述:功率驱动器IC DrMOS 40A 3-20Vin Thermal monitor flag RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SICH38-M SICH50-C SICH50-M SICH75-C SICH75-M SI-CU1425001WW SI-CU5523001WW SI-CU55230N1WW SI-CU8725001WW SI-CU87250N1WW SICW06A10-C30 SICW06A10-M30 SID1132K SID1132K-TL SID1152K SID1152K-TL SID1182K SID1182K-TL
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