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SIE806DF-T1-E3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • VISHAY

  • REEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人:江先生

    电话:0755-236033608325800283223169

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质:营业执照

  • 36000

  • VISHAY

  • 10-PolarPAK

  • 15+

  • -
  • 进口原装!现货供应,可开增值税发票

  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Vishay Siliconix

  • 10-PolarPAK?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • SIE806DF-T1-E3 存储IC
    SIE806DF-T1-E3 存储IC

    SIE806DF-T1-E3 存储IC

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-83795896

    地址:深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 34000

  • VISHAY/威世

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

  • 1/1页 40条/页 共13条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
SIE806DF-T1-E3 技术参数
  • SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售 标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 技术:磁耦合 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):90ns,81ns 电流 - 输出高,低:3.6A,4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向(Vf)(典型值):- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):90ns,81ns 电流 - 输出高,低:3.6A,4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向(Vf)(典型值):- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3
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