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SIR-34ST3FJ

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SIR-34ST3FJ 技术参数
  • SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.5mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:54° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):75mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:32° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):7.8mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR323-5 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 4mW/sr @ 20mA 35° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):4mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:35° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR-320ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 36° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):75mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR412DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 SIR432DP-T1-GE3 SIR436DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3
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