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SIR576DP

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  • SIR576DP
    SIR576DP

    SIR576DP

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • DFN5×6

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

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SIR576DP PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
SIR576DP 技术参数
  • SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:26° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR638ADP-T1-RE3 SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-RE3 SIR640ADP-T1-GE3 SIR640DP-T1-GE3 SIR642DP-T1-GE3 SIR644DP-T1-GE3 SIR646DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 SIR668DP-T1-RE3 SIR670DP-T1-GE3 SIR67-21C/TR8 SIR680DP-T1-RE3 SIR688DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-RE3 SIR692DP-T1-RE3
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