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SIR870ADP-T1-RE3

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    SIR870ADP-T1-RE3

    SIR870ADP-T1-RE3

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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SIR870ADP-T1-RE3 技术参数
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:通用 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 标准包装:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:26° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 SIR892DP-T1-GE3 SIR928-6C-F SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-RE3 SIRA01DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3
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