SIR888DP-T1-GE3全国供应商【买卖IC网】SIR888DP-T1-GE3资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

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SIR888DP-T1-GE3
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
36000
VISHAY
8-SOIC
15+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票

SIR888DP-T1-GE3
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Vishay/Siliconix
PowerPAK? SO-8
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

SIR888DP-T1-GE3
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1000
VIS
QFN8
假一赔十！
-
绝对原装现货！

SIR888DP-T1-GE3
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Vishay Siliconix
PowerPAK? SO-8
17+
-
全新原装现货

SIR888DP-T1-GE3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
VISHAY
SO-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
MOSFET 25V 40A 48W 3.25mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIR888DP-T1-GE3 技术参数

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:通用工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，J 形引线标准包装:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:26° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIRA10DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 SIRA16DP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 SIRA24DP-T1-GE3 SIRA26DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 SIRA34DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 SIRA50DP-T1-RE3 SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-RE3 SIRA54DP-T1-GE3

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