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SIRA18BDP

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  • SIRA18BDP-T1-GE3
    SIRA18BDP-T1-GE3

    SIRA18BDP-T1-GE3

    现货
  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 78920

  • Vishay(威世)

  • PowerPAK? SO-8

  • 22+

  • -
  • 原装现货库存 优势价格出库

  • SIRA18BDP-T1-GE3
    SIRA18BDP-T1-GE3

    SIRA18BDP-T1-GE3

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • VISHAY/威世

  • PAKSO-8

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • SIRA18BDP
    SIRA18BDP

    SIRA18BDP

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • DFN5×6

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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SIRA18BDP 技术参数
  • SIR928-6C-F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 40° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向 标准包装:1,000 SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:通用 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 标准包装:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:26° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIRA50DP-T1-RE3 SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-RE3 SIRA54DP-T1-GE3 SIRA58DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-GE3 SIRA64DP-T1-RE3 SIRA66DP-T1-GE3 SIRA72DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-RE3 SIRA96DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 SIRC04DP-T1-GE3
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