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SM74202MM-2

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SM74202MM-2 技术参数
  • SM74104SDX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.6A,1.6A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):118V 上升/下降时间(典型值):600ns,600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:10-WSON(4x4) 标准包装:1 SM74104SD/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.6A,1.6A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):118V 上升/下降时间(典型值):600ns,600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:10-WSON(4x4) 标准包装:1 SM74104MAX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.6A,1.6A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):118V 上升/下降时间(典型值):600ns,600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 SM74104MA/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.6A,1.6A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):118V 上升/下降时间(典型值):600ns,600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:95 SM74101SD/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 6WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:单路 驱动器数:1 栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.5 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,7A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):14ns,12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-WSON(3x3) 标准包装:1 SM802101UMG SM802101UMG-TR SM802104UMG SM802104UMG-TR SM802105UMG SM802105UMG-TR SM802108UMG SM802109UMG SM802109UMG-TR SM802110UMG SM802111UMG SM802116UMG SM802116UMG-TR SM802120UMG SM802120UMG-TR SM802121UMG-TR SM802124UMG SM802124UMG-TR
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