SM8013C-

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SM8013C- 技术参数

SM74611KTTR 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 15A DDPAK 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:26mV @ 8A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 28V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 SM74104SDX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:10-WSON（4x4）标准包装:1 SM74104SD/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:10-WSON（4x4）标准包装:1 SM74104MAX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 SM74104MA/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:95 SM802110UMG SM802111UMG SM802116UMG SM802116UMG-TR SM802120UMG SM802120UMG-TR SM802121UMG-TR SM802124UMG SM802124UMG-TR SM802128UMG SM802128UMG-TR SM802134UMG SM802140UMG SM802158UMG SM8035FT100R SM8035FT10R0 SM8035FT150R SM8035FT1K00