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SMBZ5930B-M3/5B

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SMBZ5930B-M3/5B 技术参数
  • SMBYW04-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 SMBYW02-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB(DO-214AA) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 SMBYW01-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB(DO-214AA) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 SMBYT03-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 SMBYT01-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 SMBZ5933B-E3/5B SMBZ5934B-E3/52 SMBZ5934B-E3/5B SMBZ5934B-M3/52 SMBZ5934B-M3/5B SMBZ5935B-E3/52 SMBZ5935B-E3/5B SMBZ5935B-M3/52 SMBZ5935B-M3/5B SMBZ5936B-E3/52 SMBZ5936B-E3/5B SMBZ5936B-M3/52 SMBZ5936B-M3/5B SMBZ5937B-E3/52 SMBZ5937B-E3/5B SMBZ5937B-M3/52 SMBZ5937B-M3/5B SMBZ5938B-E3/52
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