SPV100400D2R

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SPV100400D2R 技术参数

SPV1002T40 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 16A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:16A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:180mV @ 16A 速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 工作温度 - 结:-45°C ~ 175°C 标准包装:50 SPV1002D40TR 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:16A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:180mV @ 16A 速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-45°C ~ 175°C 标准包装:1 SPV1001T40 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 16A TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:16A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:920mV @ 8A 速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 工作温度 - 结:-45°C ~ 175°C 标准包装:50 SPV1001N40 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:12.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:140mV @ 10A 速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）工作温度 - 结:-45°C ~ 150°C 标准包装:1 SPV1001N30 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:12.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）工作温度 - 结:-45°C ~ 150°C 标准包装:1 SPV1520N SPV1540N SPV1840LR5H-B SPV-300-12 SPV-300-24 SPV-300-48 SPW0430HR5HB-B SPW0442HR5H-1 SPW07N60CFDFKSA1 SPW11N60C3 SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60S5FKSA1 SPW11N80C3 SPW11N80C3FKSA1 SPW12N50C3FKSA1 SPW15N60C3 SPW15N60C3FKSA1