STB100N6F7全国供应商 STB100N6F7资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STB100N6F7
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ST
TO-263
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

STB100N6F7
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STB100N6F7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STB100N6F7
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STB100N6F7
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STB100N6F7
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STB100N6F7
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6002
ST/意法半导体
TO-263-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STB100N6F7
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
200000
YXYBDT台湾
D2PAKTO-263
2025+
-
代理台湾YXYBDT.现货

STB100N6F7
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STB100N6F7
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1000
ST MICROELECTRONICS
价格优势
2329
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全新原装渠道现货

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F7
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1980pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1

STB100N6F7 技术参数

STB100N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB0FS12A-AD-BA 功能描述:LED Lighting Color 2525 Blue 455nm (450nm ~ 460nm) 2-SMD, No Lead 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:2525 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:蓝波长:455nm（450nm ~ 460nm）电流 - 测试:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3.2V 不同测试电流时的流明/瓦:- 电流 - 最大值:300mA 通量 @ 电流/温度 -测试:220mW（200mW ~ 240mW）温度 - 测试:25°C 视角:140° 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线封装热阻:17°C/W 标准包装:1 STARTKIT-M24LR-A 功能描述:STARTER KIT M24LR-64-R 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件状态:过期类型:读取器模块频率:13.56MHz 配套使用产品/相关产品:M24LR-64-R 所含物品:2 根基准天线，I2C 和 RFID 读取器，样品标准包装:1 START499ETR 功能描述:TRANS RF SILICON NPN SOT-343 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 160mA，4V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 START499D 功能描述:TRANS RF NPN 4.5V 1A SOT-89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1.7W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 160mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 STB10N60M2 STB10N65K3 STB10N95K5 STB10NK60Z-1 STB10NK60ZT4 STB11N52K3 STB11N65M5 STB11NK40ZT4 STB11NK50ZT4 STB11NM60-1 STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4

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