您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STB140BF55

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
STB140BF55 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STB140BF55 技术参数
  • STB13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB13NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):320 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB13NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB13N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB13N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):580pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB14NM50N STB14NM65N STB150N3LH6 STB150NF04 STB150NF55T4 STB15100CTR STB15100TR STB15150TR STB15200TR STB155N3H6 STB155N3LH6 STB1560TR STB15-BLANK-2 STB15-BLANK-5 STB15-BLANK-6 STB15N65M5 STB15N80K5 STB15NK50ZT4
配单专家

在采购STB140BF55进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STB140BF55产品风险,建议您在购买STB140BF55相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STB140BF55信息由会员自行提供,STB140BF55内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号